Московский завод «Пульсар» приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике

Дата: 22:16, 04.11.2016
Категории:  Новости, Электронные технологии, Центральный

«Росэлектроника» приступила к созданию перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым в мире. Новые разработки открывают большие возможности в развитии мобильной и космической связи, а также уже в ближайшее десятилетие приведут к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. 

Как заявил гендиректор «Росэлектроники» Игорь Козлов, новые разработки в сфере полупроводников обеспечивают эффективность техники будущего вне зависимости от сферы ее применения. «Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому «Росэлектроника» прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», – отметил он.  

В частности, московский завод «Пульсар», входящий в холдинг, приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 году. Такой транзистор поднимет на новый уровень производство блоков питания различных типов, а также сыграет значимую роль в развитии мобильной и космической связи.

Комментарии для сайта Cackle